氧吸附对CdS-CdSe烧结膜电导性能的影响

邓容平; 郑毓峰; 查朝征; 戴伯荣; 安尼瓦·阿不都拉

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氧吸附对CdS-CdSe烧结膜电导性能的影响

工程技术 | 更新时间：2026-01-21

- 氧吸附对CdS-CdSe烧结膜电导性能的影响
- 氧吸附对CdS-CdSe烧结膜电导性能的影响
- 新疆大学学报（自然科学版中英文） 1993年第3期
- 作者机构：
  
  新疆大学物理系,新疆大学物理系,新疆大学物理系,新疆大学物理系,新疆大学物理系乌鲁木齐 830046,乌鲁木齐 830046,乌鲁木齐 830046,乌鲁木齐 830046,乌鲁木齐,830046
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金
- DOI：
  中图分类号： O.484.5
- 纸质出版：1993
- 稿件说明：
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[1]邓容平,郑毓峰,查朝征,等.氧吸附对CdS-CdSe烧结膜电导性能的影响[J].新疆大学学报(自然科学版),1993(03):56-59.

邓容平, 郑毓峰, 查朝征, et al. 氧吸附对CdS-CdSe烧结膜电导性能的影响[J]. Journal of Xinjiang University (Natural Science Edition in Chinese and English), 1993, (3).
[1]邓容平,郑毓峰,查朝征,等.氧吸附对CdS-CdSe烧结膜电导性能的影响[J].新疆大学学报(自然科学版),1993(03):56-59. DOI：

邓容平, 郑毓峰, 查朝征, et al. 氧吸附对CdS-CdSe烧结膜电导性能的影响[J]. Journal of Xinjiang University (Natural Science Edition in Chinese and English), 1993, (3). DOI：

摘要

CdS—CdSe烧结膜具有显著的光敏特性。氧气在这种多晶薄膜上的吸附提高了薄膜中晶粒间的界现势垒

并改变了晶粒中的载流子浓度.表现在薄膜的电导率和电子迁移率随着氧气的吸附而下降.这种薄膜在空气中

50℃下经过30min的退火处理

晶粒间的界面势垒可提高约14meV

薄膜在氮气中的退火处理使界面势垒有所下降。

Abstract

The sintered CdS-CdSe polycrystallite films are sensitively photo-conductive. The oxygen adsorption on the film increases the grain-boundary potential and changes the carrier concentration in the crystallite. The experiment shows that the effect results in the decrease of the electron mobility

the dark conductivity

and the photo-conductivity of the film. When the film is annealed in air at 50℃ for 30 min.

the grain-boundary potential is increased by about 14 meV

and the anneal in N2 decreases the grain-boundary potential.

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