共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能

郑毓峰; 陈树义; 李锦; 简基康; 李冬来; 马忠权; 常爱民

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能

工程技术 | 更新时间：2026-01-21

- 共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能
- 共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能
- 新疆大学学报（自然科学版中英文） 2002年第1期
- 作者机构：
  
  新疆大学物理系,新疆大学物理系,新疆大学物理系,新疆大学物理系,新疆大学物理系,新疆大学物理系,中国科学院新疆物理所新疆乌鲁木齐830046 ,新疆乌鲁木齐830046 ,新疆乌鲁木齐830046 ,新疆乌鲁木齐830046 ,新疆乌鲁木齐830046 ,新疆乌鲁木齐830046,新疆,乌鲁木齐,830000
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金资助项目 (5 9862 0 0 2 )
- DOI：
  中图分类号： O484
- 纸质出版：2002
- 稿件说明：
移动端阅览
[1]郑毓峰,陈树义,李锦,简基康,李冬来,马忠权,常爱民.共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能[J].新疆大学学报(自然科学版),2002(01):6-8.

郑毓峰, 陈树义, 李锦, et al. 共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能[J]. Journal of Xinjiang University (Natural Science Edition in Chinese and English), 2002, (1).
[1]郑毓峰,陈树义,李锦,简基康,李冬来,马忠权,常爱民.共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能[J].新疆大学学报(自然科学版),2002(01):6-8. DOI：

郑毓峰, 陈树义, 李锦, et al. 共溅射CdTe掺Nd薄膜的结构和电导性能[J]. Journal of Xinjiang University (Natural Science Edition in Chinese and English), 2002, (1). DOI：

摘要

采用共溅射法在 ITo/玻璃基片上沉积 Cd Te掺 Nd薄膜

并利用 XRD和阻抗测试研究薄膜的结构和电导性能 .结果表明

适当 Nd掺入可以改善 Cd Te薄膜结晶特征和电导性能

Abstract

Nd doped CdTe thin films have been fabricated on ITO/glass substrate by using Co sputtering deposition. The structural and conductive properties of films have been investigated by X ray diffraction (XRD) and impedance measurements. The results show that proper doping of Nd can improve crystallinity and conductivity of CdTe films.

关键词

Keywords

references

ChakrabartiR,DuttaJ,MaityA B,ChaudhuriS,PalA K.Photoconductivity ofCdTe films[J].ThinSolidFilms,1996,288:32-35.

TouskovaJ,KindlD,TousekJ.Preparation and characterization ofCds/CdTe thin film solar cells[J].Thin solidFilms,1997,293:272-276.

sooY L,HuangS,KaoY H.Investigation of interface morphology and composition mixing inCdTe/Cdsheterojunction photovoltaic materials using synchrotron radiation[J].Journal ofAppliedPhysics,1998,83(8):4173.

BrittJ,FerekidesC.Thin-filmCdS/CdTe solarcell with15.8% efficiency[J].ApplPhys lett,1993,62(22):2851.

Picos-VegaA,BecerrilM,Zelaya-AngelO.Cd self-doping ofCdTe polycrystalline films by co-sputtcring ofCdTe-Cdtargets[J].JApplPhys,1998,83:760

浏览量

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

共溅射法制备Cu-In合金膜及电学性能分析