n-Ge样品中的反常伏安特性

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n-Ge样品中的反常伏安特性

工程技术 | 更新时间：2026-01-21

- n-Ge样品中的反常伏安特性
- n-Ge样品中的反常伏安特性
- 新疆大学学报（自然科学版中英文） 2002年第3期
- 作者机构：
  
  北华大学师范学院理学院物理系,北华大学师范学院理学院物理系吉林吉林市132013,吉林市,吉林,132013
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号： TN304
- 纸质出版：2002
- 稿件说明：
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[1]王永超,姜坤.n-Ge样品中的反常伏安特性[J].新疆大学学报(自然科学版),2002(03):288-290.

王永超, 姜坤. n-Ge样品中的反常伏安特性[J]. Journal of Xinjiang University (Natural Science Edition in Chinese and English), 2002, (3).
[1]王永超,姜坤.n-Ge样品中的反常伏安特性[J].新疆大学学报(自然科学版),2002(03):288-290. DOI：

王永超, 姜坤. n-Ge样品中的反常伏安特性[J]. Journal of Xinjiang University (Natural Science Edition in Chinese and English), 2002, (3). DOI：

根据反型层模型

对 n-Ge中的反常伏安特性进行了定量计算

得到了与实验一致的结果 .

Based on the inversion layers model

Anomalous V A characteristic on n Ge design is calculated. The Calculatel result is coincident with experimeatal one.

邢旭.n-Ge中的反常霍尔效应[M].科学通报,1985,(30):1701-1703.

邢旭.n-Ge在室温以上的反常磁致电阻效应[J].科学通报,1986,(31):730-732.

邢归,杨春芳.常温下 n-Ge中的反常电导效应及其反常霍尔、反常磁致电阻效应的关系[J].科学通报,1987,(32):1857-1860.

邢旭,刘益春,齐秀英,焦志伟.受主型热缺陷补偿的 n-Ge常温下的反常伏安特性[J].科学通报,1991,(36):413-416.

邢旭,姜伟,王锡绂.用反型层模型探讨 n-Ge中的常温反常霍尔效应[J].物理学报,1989,(38):1210-1214.

邢旭.n-Ge常温反常霍尔效应机理实验[J].物理学报,1990,(30):614-619.

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