三层膜中特殊的磁电阻效应

高洁; 汤业庆

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三层膜中特殊的磁电阻效应

更新时间：2026-01-21

- 三层膜中特殊的磁电阻效应
- Journal of Xinjiang University (Natural Science Edition in Chinese and English) Issue 2, (1998)
- 作者机构：
  
  新疆大学物理系,中国科技大学结构分析开放实验室
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： O484.43
- Published：1998
- 稿件说明：
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[1]高洁,汤业庆.三层膜中特殊的磁电阻效应[J].新疆大学学报(自然科学版),1998(02).

高洁, 汤业庆. 三层膜中特殊的磁电阻效应[J]. Journal of Xinjiang University (Natural Science Edition in Chinese and English), 1998, (2).
[1]高洁,汤业庆.三层膜中特殊的磁电阻效应[J].新疆大学学报(自然科学版),1998(02). DOI：

高洁, 汤业庆. 三层膜中特殊的磁电阻效应[J]. Journal of Xinjiang University (Natural Science Edition in Chinese and English), 1998, (2). DOI：

摘要

本文研究了ＬＳＭＯ／ＰＣＭＯ／ＬＳＭＯ三层膜的输运性质和磁电阻电特性．随中间层Ｐｒ０．７Ｃａ０．３ＭｎＯ３＋δ厚度的增加，在零磁场下，三层膜的电阻率显著下降，在磁场为Ｈ＝０．７５Ｔ下，磁电阻效应在减少，转变温度向高温区移动，而且，热激活能在减少．中间层不仅诱发了内磁场，还诱发了ＬＳＭＯ的能隙中的态密度．

Abstract

The magnetoresistance effects(H=0.75T) and the transportation characteristice (H=0T) of La o.67 Sr 0.33 MnO 3+δ /Pr 0.7 Ca 0.3 MnO 3+δ /La o.67 Sr 0.33 MnO 3+δ trilayer filmsh have been studied.With the thickness of middle-layered changing

the resistivity of trilayer films shows greater decrease than the single layered La o.67 Sr 0.33 MnO 3+δ films

the MR values are decreased under 0.75T

and the thermal activation energy E c is decreased and disappeared at lower temperature.This imply that the middle-layered not only induces the intra-magnetic field but also induces the density of states between the LSMO's gap in the trilayered films.

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