半导体InP中次内层分子轨道能级的计算

杨志安; 靳涛

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半导体InP中次内层分子轨道能级的计算

更新时间：2026-01-21

- 半导体InP中次内层分子轨道能级的计算
- Journal of Xinjiang University (Natural Science Edition in Chinese and English) Issue 2, (2000)
- 作者机构：
  
  新疆大学物理系!新疆乌鲁木齐830046,中国科学院新疆物理所,新疆,乌鲁木齐,830011
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  CLC： O471.1
- Published：2000
- 稿件说明：
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[1]杨志安,靳涛.半导体InP中次内层分子轨道能级的计算[J].新疆大学学报(自然科学版),2000(02):27-33.

杨志安, 靳涛. 半导体InP中次内层分子轨道能级的计算[J]. Journal of Xinjiang University (Natural Science Edition in Chinese and English), 2000, (2).
[1]杨志安,靳涛.半导体InP中次内层分子轨道能级的计算[J].新疆大学学报(自然科学版),2000(02):27-33. DOI：

杨志安, 靳涛. 半导体InP中次内层分子轨道能级的计算[J]. Journal of Xinjiang University (Natural Science Edition in Chinese and English), 2000, (2). DOI：

摘要

利用量子力学方法

计算了半导体 In P中次内层分子轨道的能级 ;对不具中心对称的 In P半导体

建立了非对称的椭球坐标系 ;计算出的 In P中次内层分子轨道能级与实验结果相符合 .同样的方法可以推广到其它半导体能级的计算

Abstract

A molecular orbit at sub internal shell in InP is calculated by quantum mechanics;Since InP is non central symmetrical about centre point

we establish a non symmetrical ellipsoidal coordianted to calculate the molecular orbit in InP;The calculated result is tally with experiment result.This method could be popularized to calculate energy level od other semiconductor.

关键词

Keywords

references

潘道皑 ,赵成大 ,郑载兴 ,等 .物质结构 [M].北京 :高等教育出版社 ,1989.

[2 ]杨志安 ,靳涛 ,杨祖慎 ,等 .软 X射线辐照引起的 In P表面电子态变化 [J].物理学报 ,1999,4 8(6 ) :1113

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